FDT1600N10ALZ
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDT1600N10ALZ |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.80 |
10+ | $0.708 |
100+ | $0.543 |
500+ | $0.4293 |
1000+ | $0.3434 |
2000+ | $0.3112 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-4 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 10.42W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.77 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.6A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDT1600 |
FDT1600N10ALZ Einzelheiten PDF [English] | FDT1600N10ALZ PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDT1600N10ALZonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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